課題番号 ：S-20-OS-0014
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：イオンミリングによるパターン形成
Program Title (English) ：Pattern formation by ion milling
利用者名（日本語） ：松元光輝，土手靖也
Username (English) ：M. Matsumoto, Y. Dote
所属名（日本語） ：日本リニアックス株式会社
Affiliation (English) ：NIPPON LINIAX CO.,LTD.

１．概要（Summary ）
弊社の新センサ開発において、金属筐体上のセラミックス薄膜に対してパターン形成するためには、ドライエッチングによるパターン形成が最適である。今回、大阪大学ナノテクノロジー設備供用拠点のイオンミリング装置を利用して、最適なエッチング条件にて試作品を作製することを目的とする。

２．実験（Experimental）
【利用した主な装置】
S16 SIMS付カウフマン型イオンミリング装置
【実験方法】
　昨年度の実験により決定したイオンミリング装置によるセラミックス薄膜とレジストとのレート選択比が小さく、フォトレジストへのダメージが小さい最適なエッチング条件にて試作品を作製した。
エッチング条件をTable 1に示す。

３．結果と考察（Results and Discussion）
　計15試料を6バッチに分けてエッチングした結果、前半3バッチは問題なく処理できたが、後半3バッチにてフォトレジストへのダメージが見られる試料が見られた。
原因としては、試料の冷却不足、エッチング条件を厳しくしすぎた等が考えられる。試料の冷却不足に関しては、センサの形状がイオンミリング装置の冷却構造に対して不利に働いている可能性がある。次回利用時には随時小窓からフォトレジストの表面状態をチェックしながらエッチングを行う。また、エッチング条件の緩和、若しくはエッチングの合間に冷却時間を設けることを検討する。

４．その他・特記事項（Others）
コロナ禍においても細心の注意を払って対策を行い、機器利用できるようご配慮していただきありがとうございました。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし

６．関連特許（Patent）
なし