課題番号 ：S-20-KU-0049
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：シリコンウェハの表面荒れの調査
Program Title (English) ：Research of surface roughness on Silicon wafer
利用者名（日本語） ：小野 修一
Username (English) ：Shuichi Ono
所属名（日本語） ：新日本無線株式会社
Affiliation (English) ：New Japan Radio, Co., Ltd.

１．概要（Summary ）
シリコンウェハ表面は清浄な状態ではシリコン原子が整列しているが、経時変化、大気暴露、化学処理工程などの影響で劣化する。今回は、実際にさまざまな工程を経たシリコンウェハの表面状態の荒れ方の違いについて調査を実施した。

２．実験（Experimental）
分析方法：走査型プローブ顕微鏡（SPM）
使用機器：島津製作所社製　SPM-9600

原子間力顕微鏡（AFM）のACモードを使用した測定により、シリコンウェハ4枚について表面粗さを計測した。サンプルキャリアに対して、試料のシリコンウェハが大きかったため、測定の直前にカットして測定に供した適用した。スキャンエリアは1.5 um x1.5 umとした。得られた三次元データを付属の専用ソフトウェアで解析することで、種々の表面粗さデータを得た。

３．結果と考察（Results and Discussion）
各サンプルについて表面粗さの解析を行ったところ、サンプルによって、二乗平均面粗さ(RMS)として0.17 nm～0.31 nmのばらつきがある事が判明した。シリコンウェハに対する工程の違いを反映していると考えられるデータを得ることが出来た。

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。