利用報告書

ナノ材料及び電子デバイスの構造解析
上田友彦, 荒井美奈,畑 秀樹,長谷部祐樹
パナソニック株式会社

課題番号 :S-16-NI-32
利用形態 :機器利用
利用課題名(日本語) :ナノ材料及び電子デバイスの構造解析
Program Title (English) :Structural characterization of nanomaterials and electron devices
利用者名(日本語) :上田友彦, 荒井美奈,畑 秀樹,長谷部祐樹
Username (English) :T.Ueda, M.Arai, H.Hata, Y.Hasebe
所属名(日本語) :パナソニック株式会社
Affiliation (English) :Panasonic Co. Ltd.

1. 概要(Summary )

①無機ナノ粒子の構造観察
無機ナノ粒子のナノスケールの微細構造を明らかにする。

②半導体材料の構造観察
基板に成長させた半導体材料に対して、基板成長界面の構造を明らかにする。

2.実験(Experimental)

①無機ナノ粒子の構造観察
無機ナノ粒子をCuグリッド上カーボン支持膜に取り付けて、TEM観察試料とした。これを、日本電子社製JEM-ARM200Fにて、TEM観察およびEDXによる元素分析を実施した。

②半導体材料の構造観察
基板に成長させた半導体材料に対して、集束イオンビーム(FIB)による薄片化処理を実施した。これを、日本電子社製JEM-ARM200Fにて、TEM観察を実施した。

<利用装置>
・原子分解能分析電子顕微鏡(JEM-ARM200F:図1)

図1 原子分解能分析電子顕微鏡
3. 結果と考察(Results and Discussion)

①無機ナノ粒子の構造観察
HAADF像観察とEDXによる元素分析の結果、無機ナノ粒子がナノスケールのコアとシェルから形成されていることを明らかにすることができた。
今回得られた結果を元に、材料配合条件へのフィードバックを実施する計画である。

②半導体材料の構造観察
HAADF像観察の結果、基板上の数原子層目から、バルクと同構造の結晶が成長していることを明らかにすることができた。
今回得られた結果を元に、成膜プロセス条件へのフィードバックを実施する計画である。

4.その他・特記事項(Others)

本研究は、文部科学省委託事業ナノテクノロジープラットフォーム課題として名古屋工業大学 分子・物質合成プラットフォームの支援を受けて実施されました。技術指導を実施して頂きました浅香准教授に深く感謝いたします。
This work was supported by Nagoya Institute of Technology Molecule and Material Synthesis Platform as a program of “Nanotechnology Platform” of the Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology(MEXT), Japan. We are grateful to Associate Prof. Asaka in Nagoya Institute of Technology Molecule and Material Synthesis Platform for technical instructions.

5.論文・学会発表(Publication/Presentation)
なし

6.関連特許(Patent)
なし

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