課題番号（Application Number）：S-15-NR-0014
利用形態（Type of Service）：共同研究
利用課題名（日本語） ：ミストCVD法を用いて形成した金属酸化膜の新規応用開発
Program Title (English) ：Novel application development of metal oxide thin films fabricated by Mist-CVD technique
利用者名（日本語） ：城川潤二郎1), 織田　真也2)
Username (English) ：J.Kikawa1), M.Oda2)
所属名（日本語） ：1) 立命館大学　総合研究機構, 2)株式会社FLOSFIA
Affiliation (English) ：1) Ritsumeikan University, 2) FLOSFIA INC.

１．概要（Summary ）
　京都大学藤田静雄研究室発祥のミストCVD法を用いて形成した金属酸化膜を絶縁膜、半導体、導電膜等の材料として応用展開することを目指している。酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化シリコンなどを形成したのちに、①結晶性評価、および②半導体デバイス形成および評価、を進めて行く。　　
　alpha-Ga2O3のキャリアは、ドナー原子だけでは無く、酸素空孔を代表とする格子欠陥との相互関連であるというモデルを検証する目的でESR測定を行った。

２．実験（Experimental）
JEOL　JES-FA100N
数レベルで、ドナーをドーピングした試料を用意し、そのESRスペクトルを測定した。また、それらの試料を適当な熱処理を施し、前後のESRスペクトルの変化を見た。

３．結果と考察（Results and Discussion）
ドナー濃度により、g値が変化することがわかった。このｇ値の変化と酸素空孔、および、格子欠陥との関係について、今後、他の測定手法と組み合わせて詳細に解析することで、明らかにしてけるものと考えられる。

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
口頭発表　2015年11月６日　京都
IWGO 2015, Nov. Kyoto
Electron Spin Resonance of n-Type
α-Ga2O3 Fabricated by Using Mist Epitaxy

６．関連特許（Patent）
なし。