課題番号                  ：S-19-OS-0042

利用形態                  ：機器利用

利用課題名（日本語）       ：レーザー発光強度劣化解析

Program Title (English)    ：Laser emission intensity degradation analysis

利用者名（日本語）      ：小松雄介，辰馬賢一郎

Username (English)       ：Y.Komatsu,，K.Tatsuuma

所属名（日本語）        ：北陽電機株式会社

Affiliation (English)       ：Hokuyo Automatic Co., Ltd.

１．概要（Summary ）

レーザーの発光強度劣化解析に対しカソードルミ ネッセンス法を検討。解析前処理としてレーザー チップ裏面を被覆している金電極の選択除去が 課題となりイオンミリング装置の使用を検討した。金電極除去は可能であるが、処理前後で解析素子の静特性に変化が見られたため、今回の目的からは利用が困難であることがわかった。

２．実験（Experimental）

【利用した主な装置】

S16 SIMS付カウフマン型イオンミリング装置

【実験方法】

Fig.1に示すレーザーチップにおいてチップ上面よりイオンミリング装置にて金のエッチングを行った。

Fig.1 Before ion milling

３．結果と考察（Results and Discussion）

約30分間のイオンミリング処理にて金電極はワイヤーボンドを残して処理を完了。エッチング後、レーザーチップに通電し端面が発光することを確認できた。

Fig.2 After ion milling

またイオンミリング処理前後で弊社においてV-I特性を調べたところ試料のリーク電流が約1桁分増加することが確認できた。(Fig.3)  現在イオンミリング処理前後のリーク電流の変化の原因は不明。

Fig.3 V-I characteristics of sample

以上よりⅢ－Ⅴ属半導体の金電極除去に対して、イオンミリング法による基材との選択エッチングは可能であるが、素子の解析に際してはリーク電流の増加が見られるため注意が必要である。

４．その他・特記事項（Others）

・実験にご協力頂いた北島彰様（特任助教）、

近田和美様(特任研究員)に感謝します。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）

なし

６．関連特許（Patent）

なし