課題番号 ：S-18-JI-0014
利用形態 ：技術代行
利用課題名（日本語） ：化合物半導体材料における半導体-絶縁膜界面の解析
Program Title (English) ：Analysis of interface state between compound semiconductor and insulator
利用者名（日本語） ：竹内克彦
Username (English) ：K. Takeuchi
所属名（日本語） ：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Affiliation (English) ：Sony Semiconductor Solutions Corporation

１．概要（Summary ）
化合物半導体材料には、様々な優れた物性を有するものがあるため、高周波・高速デバイス、光デバイス、パワーデバイスなど、多岐にわたるデバイス応用が期待される。
このような化合物半導体のデバイス応用においては、絶縁膜を適切に利用する技術が極めて重要であるが、絶縁膜の物性制御、半導体-絶縁体界面制御には課題が多い。今回、化合物半導体上に原子層堆積(ALD)で形成した薄膜について、半導体および絶縁膜に関する評価と解析を行った。

２．実験（Experimental）
【利用した主な装置】
・高分解能透過型電子顕微鏡
・集束イオンビーム加工装置

３．結果と考察（Results and Discussion）

化合物半導体上に酸化膜を形成した構造について、走査透過型電子顕微鏡(TEM)による解析を行い、Epi装置間での結晶状態の違いを確認した。

・半導体-絶縁膜界面の平坦性が、Epi装置によって異なる事を確認

(A)

(B)

図1.　TEM解析結果

４．その他・特記事項（Others）
今回の測定において、鈴木寿一先生および東嶺孝一氏に大変お世話になりました。この場を借りて感謝申し上げます。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。