課題番号（Application Number）：S-16-NR-0057
利用形態（Type of Service）：技術代行
利用課題名（日本語） ：希薄磁性半導体の強磁性発現機構の解明
Program Title (English) ：Study on the origin of ferromagnetism in dilute magnetic semiconductor.
利用者名（日本語） ：常山正幸1)
Username (English) ：M. Tsuneyama1)
所属名（日本語） ：1) 京都大学理学研究科
Affiliation (English) ：1) Kyoto University, Department of Science

１．概要（Summary ）
希薄磁性半導体と呼ばれる強磁性化した半導体が新たなデバイス開発への応用として注目を集めているが、その強磁性の発現機構は明らかになっていない。今回はFe10%-doped In2O3に着目し、強磁性発現に関与があるとされている酸素欠損の影響を調べるために、本件では酸素欠損の定量を試みた。

２．実験（Experimental）
示差熱熱重量同時測定装置を用いて、あらかじめ酸素欠損導入のために異なる処理を行った複数のバルク試料に対し、N2:O2=80:20のガス中にて10℃/minで500℃まで昇温し、その温度で経時変化を測定した。処理時間は不定で、実験により試料の重量増加量を測定し、酸素の充填量を求める。

示差熱熱重量同時測定装置（TGDTA6200, hitachi）

３．結果と考察（Results and Discussion）
全て試料の重量増加は陽に観測されなかった。（図1）これは500℃では試料の酸素吸着温度に達していなかった、試料に欠損ができていなかった等の理由が考えられるが、現状では判断できない。

図1. TGDTAによる重量変化の測定

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。