課題番号 ：S-20-NR-0017
利用形態 ：技術相談
利用課題名（日本語） ：GaN発光デバイスの研究
Program Title (English) ：The optical device based on GaN
利用者名（日本語） ：仮屋園　広宣1)
Username (English) ：H.Kariyazono 1)
所属名（日本語） ： セイコーエプソン　株式会社
Affiliation (English) ： Seiko Epson Corporation

１．概要（Summary ）
「技術相談のみ。」
GaNを材料とした微細構造の発光デバイスを開発中であり、電気的特性を評価することで発光に最適なデバイス構造や形成条件を決定することを目的としている。
電気的特性評価として電圧/電流特性を実施予定であるが、素子が非常に微細な構造であるため、通常のプローバーでは測定ができない。そのため、ナノプローバーを使った評価を行いたい。

微小デバイス特性評価装置（ナノプローバー）

２．実験（Experimental）
「技術相談のみで、測定未実施」
概要のみ記載。以下、空欄。

３．結果と考察（Results and Discussion）

４．その他・特記事項（Others）

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
「なし。」

６．関連特許（Patent）
「なし。」