課題番号 ：S-14-OS-0031
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：ITO-SiO2ガラス基板上での銅パターンめっき
Program Title (English) ：Copper electrodeposition on ITO-SiO2 glass substrate
利用者名（日本語） ：阿久津　悠介
Username (English) ：Y.Akutsu
所属名（日本語） ：大阪府立大学　工学部　化学工学科
Affiliation (English) ：Dept. of Chem. Eng., Faculty of Eng., Osaka Pref. Univ.

1.概要(Summary)
近年、ディスプレイの大型化にともない、タッチパネルに用いられる透明電極膜の低抵抗化が要求されている。なかでも、銅を格子状にした銅メッシュは高い透過率と低抵抗であり、透明導電膜の代替技術として注目されている。本研究では電気めっき法を用いて銅メッシュを作製し、各種条件の変化による電気抵抗率、透過率、銅の線幅を評価した。

2.実験(Experimental)
【利用した主な装置】
RFスパッタ装置(SVC-700LRF)

【実験方法】
ITOガラス上にSiO2膜をスパッタし、そのITO-SiO2ガラスにパターンを作製した。その後、5分間のフッ酸エッチングによりITOを露出し、硫酸銅（Ⅱ）五水和物を主とするめっき浴を用いて銅メッシュを形成した。電流密度は30～90 mA/cm2で変化させた。
銅メッシュをOHPフィルムに転写し、フィルム上の銅メッシュのシート抵抗を4端子抵抗測定器、透過率を紫外可視分光光度計、線幅を光学顕微鏡でそれぞれ測定した。

3.結果と考察(Result and Discussion)
5分間のフッ酸エッチング後のITO-SiO2ガラス基板の表面をFig.1に示す。SiO2がエッチングされて線幅4.3 mの一様な網目構造が形成されている。
各電流密度（30,60,90 mA/cm2）における