課題番号 ：S-16-JI-0044
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：Siの正逆光電子分光法による評価
Program Title (English) ：Measuerment of Si by IPES
利用者名（日本語） ： 畔地　一昭
Username (English) ：Kazuaki Azechi
所属名（日本語） ：株式会社テックサイエンス
Affiliation (English) ：Techscience Co., Ltd.

１．概要（Summary ）
逆光電子分光法（IPES)は電子の非占有状態をを直接観察できる測定手法です。しかし、低速電子線を使用するため、サンプルの表面状態により測定結果が異なってきます。本実験はSi基板を用いて、表面処理の違いから測定されるスペクトルがどの程度異なるかを把握するために行います。

２．実験（Experimental）
逆光電子分光法IPESによるSiのスパッタリングの有無によるスペクトルルの違いを測定する。装置は、正･逆光電子分光装置　(テックサイエンス PYS-200+IPES)を用いた。

３．結果と考察（Results and Discussion）
図１にIPESの測定結果を示します。青線：弗酸処理後、赤線：Arスパッタ(500eV/1hr)を実施した後、紫線：その翌日に測定した結果です。測定データは校正前の生データです。弗酸処理後の測定でも立ち上がり位置は見ることが出来ますが最初のピークを観察することは出来ませんでした。スパッタすることにより、最初のピークを観察することが可能となります。また、一日たった後も同じ測定形状を維持していることから、表面状態は変化ないと言えます。これは表面の有機物がスパッタリングにより除去され、清浄表面を観察していると言えます。これはAu、Agなどの金属と同様な結果です。

図１　Siの逆光電子分光の測定結果
４．その他・特記事項（Others）
なし

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし

６．関連特許（Patent）
なし