課題番号 ：S-16-NM-0100
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：低抵抗グラフェン配線の開発
Program Title (English) ：
利用者名（日本語） ：石倉 太志
Username (English) ：T. Ishikura
所属名（日本語） ：株式会社東芝
Affiliation (English) ：Toshiba corporation

１．概要（Summary）
微細化が進む先端半導体デバイスにおいて微細幅低抵抗配線材料の開発が求められている。グラフェンはバリスティック伝導性や高電流密度耐性などの優れた物性を有し、低抵抗配線として応用が期待されている。グラフェンの結晶性の評価は一般的にラマン散乱分光法を用いて行われるが、通常の顕微ラマン装置ではポイントデータとなり、マッピングデータを得るためには膨大な時間が必要となる。そこで高速XYイメージングが可能なNanophoton社製のラマン分光装置を用いてグラフェン膜のラマン分光分析を行い、膜の結晶性の評価を行った。

２．実験（Experimental）
【利用した主な装置】
 高速レーザーラマン顕微鏡

【実験方法】
測定基板は市販されている単層グラフェン/SiO/Si基板を使用した。主な測定条件は次の通り。
測定モード：XY-Imaging
対物レンズ倍率：100倍
レーザー波長：532.32nm
レーザーパワー：1.53mW（NDフィルタ：100%）
グレーチング：600gr/mm
中心波数：2000cm-1
露光時間：2秒
積算回数：2回

３．結果と考察 （Results and Discussion）
今回分析した基板の光学顕微鏡像およびGバンド（1591.7cm-1）強度と2Dバンド（2684.2cm-1）強度のマッピング像および代表的なポイントのスペクトルをFigure 1に示す。光学顕微鏡で見られる黒点とそれ以外の領域において、Gおよび2D強度が異なることから層数の異なるグラフェンが点在していることが確認された。

４．その他・特記事項（Others）
謝辞：この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の委託業務の結果得られたものである。
プラットフォームスタッフには装置利用法説明などの支援を受けた。
５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。