課題番号（Application Number）：S-16-NR-0040
利用形態（Type of Service）：技術代行
利用課題名（日本語） ：ＣＶＤ－基盤高密度配置技術開発
Program Title (English) ：Technology development of high density arranging for the substrate in CVD chamber.
利用者名（日本語） ：藤原良昭1), 若杉侑矢2)
Username (English) ：Y. Fujiwara1), Y.Wakasugi2)
所属名（日本語） ：1) ,2)京セラ株式会社
Affiliation (English) ：1), 2) KYOCERA Coporation

１．概要（Summary ）
PE-CVDによるa-Si:Hの成膜において、円筒形状の基盤を反応炉に高密度配置させる為の放電制御技術の開発の為、奈良先端科学技術大学院大学様にご協力頂き、反応炉内での膜質ﾊﾞﾗﾂｷに関して調査を実施し、基盤－電極間距離、基盤－基盤距離により膜質が異なること、および基盤を回転させながらの成膜が均質化に有効であることを確認した。
２．実験（Experimental）
【利用した主な装置】
電子ｽﾋﾟﾝ共鳴装置、顕微ﾚｰｻﾞｰﾗﾏﾝ分光光度計
【実験方法】
高密度に配置させる為、電極-基盤、基盤-基盤の距離を変更し、特性への影響確認を行なう。また円筒基盤を回転させた場合の膜質均一化について確認する。
○成膜条件
Distance position：anode 10～40mm、Next substrate 30mm
Flow rate：SiH4-300sccm、H2-100sccm、B2H6/SiH4 ～1ppm
Substrate temperature：250～300℃、Pressure：66～133Pa
DC power 180mW/cm2、Rotation：10rpm
○評価
1)基盤周方向位置および成膜時に基盤を回転した場合のa-Si:H膜中の欠陥密度評価。
ESR：JEOL･JES-FA100
Center field：337mT、Temperature：room
2) 基盤周方向位置および成膜時に基盤を回転した場合のa-Si:H膜中のｱﾓﾙﾌｧｽ性の評価（TO ﾌｫﾉﾝ ﾋﾟｰｸ）
Raman：日本分光･NRS-5100
Excitation wavelength：532nm、Gratings：600 gr/mm
(TOﾋﾟｰｸが低いとｱﾓﾙﾌｧｽ性高い)
３．結果と考察（Results and Discussion）
図は円筒基盤周方向の膜厚(Fig1)、欠陥密度(Fig2)、TOﾋﾟｰｸ値(Fig3)を示す。測定位置と電極、隣接基盤の配置関係は図中に示す。また、基盤回転時の値についても図中に示した。隣接基盤との距離が近い部分では膜厚が厚く、TOﾋﾟｰｸは高波数側を示す。基盤との距離が大きい電極側（anode2）で膜厚が薄く、TOﾋﾟｰｸは低波数側を示し、欠陥密度は高い。この様に、基盤を高密度配置する場合、隣接する基盤や電極間距離が影響する。基盤を回転させた場合、10rpm程度の速度で周方向の均質化に有効であることを確認。今回は、欠陥密度、膜構造の評価であるが、ｷｬﾘｱの移動度についても検討する必要がある。

４．その他・特記事項（Others）
奈良先端科学技術大学院大学物質　創成科学研究課
戸所先生、淺野間様、岡島様のご協力に感謝致します。
５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
無し
６．関連特許（Patent）
無し