課題番号                ：S-19-OS-0040

利用形態                ：機器利用

利用課題名（日本語）    ：ITOスパッタ膜の低抵抗化実験

Program Title (English) ：Experiment for low resistivity of ITO sputtering film

利用者名（日本語）      ：高梨　宏修¹⁾，加藤　達朗¹⁾，松井　聡志²⁾

Username (English)     ：H. Takanashi¹⁾, T. Kato¹⁾S. Matsui²⁾

所属名（日本語）        ：1)小島プレス工業株式会社，2) 丸和電子化学株式会社

Affiliation (English)  ：1)Kojima Industries Corporation.,　2) Maruwa Electronic & Chemical Co.Ltd.

１．概要（Summary ）

ITO薄膜の大面積への応用には、高透過率、低抵抗の成膜条件を確立することが重要である

今回、弊社装置にて実施が難しい基板加熱による影響の確認を主として、大阪大学殿のRFスパッタﾘﾝｸﾞ設備を利用し、ガラス基板へのITO成膜を検証した。

２．実験（Experimental）

【利用した主な装置】

S10　RFスパッタ装置

【実験方法】

ガラス基板に、ITO薄膜200nm前後を成膜

・基板加熱150℃、ガス圧0.3Pa、電力0.02-0.1ｋW、成膜時間10-30分にて条件調整した

３．結果と考察（Results and Discussion）

条件に対する抵抗値の傾向を下図にて示す

Fig1. Relativity between Sputter Electricity and Sheet Resistivity

Fig2. Relativity of Thickness of ITO and Sheet Resistivity

Fig3.　Relativity　between　Deg. of Vacuum and

Heating Substrate and Sheet Resistivity

弊社実験と同様に、

①電力大　→　シート抵抗減

②膜厚増　→　シート抵抗減

の傾向が得られた

一方で、予想していた高真空化、基板加熱によるシート抵抗の低減は今回の条件では見られなかった

・基板のさらなる高温化、高電力化を方針として　実験継続を検討する

４．その他・特記事項（Others）

なし

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）

なし

６．関連特許（Patent）

なし