課題番号（Application Number）：S-16-NR-0052
利用形態（Type of Service）：技術代行
利用課題名（日本語） ：シリコン半導体等の基板に形成された各種薄膜やイオン注入層の状態観察
Program Title (English) ：Study on ion-implanted layer or deposited films to semiconductor substrate with STEM
利用者名（日本語） ：二木 佐知, 川野輪 仁
Username (English) ：S. Niki, H. Kawanowa
所属名（日本語） ：株式会社イオンテクノセンター
Affiliation (English) ： Ion Technology Center Co., Ltd.

１．概要（Summary ）
STEM断面観察によるNeイオン注入実施後SiC基板のダメージ評価。

２．実験（Experimental）
透過型電子顕微鏡(STEM)：HD2700
加速電圧：200kV
分析試料：SiC基板（薄片加工完了サンプル）

走査電子顕微鏡　HD-2700

３．結果と考察（Results and Discussion）
イオン注入を実施した表面側から150～200nm程度の深さまでダメージが確認された。またEDX分析により、最表面にはOリッチな層が形成されていることが判明した。

O

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。