利用報告書

多結晶グラフェンにおけるグラフェンバウンダリの構造解析
森 祐樹, 金井 康, 小野 尭生, 生田 昂, 岡崎 凌
大阪大学, 産業科学研究所

課題番号 :S-15-OS-0035
利用形態 :機器利用
利用課題名(日本語) :多結晶グラフェンにおけるグラフェンバウンダリの構造解析
Program Title (English) :Structural Analysis of Graphene Boundary in Multicrystal Graphene
利用者名(日本語) :森 祐樹, 金井 康, 小野 尭生, 生田 昂, 岡崎 凌 
Username (English) :Mori Yuki, Y. Kanai, T. Takao, T. Ikuta, R. Okazaki
所属名(日本語) :大阪大学, 産業科学研究所
Affiliation (English) :ISIR. OsakaUniversity

1.概要(Summary)
化学気相成長法によって合成した多結晶グラフェンをラマン分光測定により評価を行った。また、窒化ホウ素上にグラフェンの直接合成を行い、ラマン分光測定によりその評価を行った。

2.実験(Experimental)
【利用した主な装置】
レーザーラマン顕微鏡
【実験方法】
化学気相成長法によって銅箔状にグラフェンを合成し、Si/SiO2基板上に転写した。その後レーザーラマン顕微鏡を使用して、ラマン分光測定を行った。

3.結果と考察 (Results and Discussion)
化学気相成長法によって銅箔状にグラフェンを合成し、単結晶および多結晶のグラフェンに対してラマン分光測定を行ったところ、多結晶のグラフェンではグラフェンバウンダリー間でDピークが大きくなることがわかった。これはグラフェンバウンダリー間の欠陥によるものと考えられる。また、この測定からグラフェンの結晶核の位置や数などがわかることがわかった。
図1は窒化ホウ素上でのグラフェン合成前後のラマンスペクトルの様子である。グラフェン合成前では窒化ホウ素による鋭いピークが見えているが、グラフェン合成後にはグラフェンの存在を示すDピーク、GピークそしてG’ピークが見られており、窒化ホウ素上にグラフェンを直接合成することができたことを示している。

4.その他・特記事項(Others)
なし

5.論文・学会発表(Publication/Presentation)
(1) 森祐樹 他, 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 平成25年9月14日
(2) 森祐樹 他, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 平成26年3月20日
(3) 岡崎凌 他, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 平成26年3月20日
(4) Y. Mori et al., 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference, 平成25年11月10日

6.関連特許(Patent)
なし

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