課題番号 ：S-20-NR-0033
利用形態 ：技術代行
利用課題名（日本語） ：新規材料を用いたSiC薄膜成膜方法の開発
Program Title (English) ：Research on deposition of SiC thin films using the novel precursor
利用者名（日本語） ：中村　昌幸1),小林　貴之1),本山　慎一1)
Username (English) ：M.Nakamura1),T.Kobayashi1),S.Motoyama1)
所属名（日本語） ：1)サムコ株式会社
Affiliation (English) ：1)Samco Inc.

１．概要（Summary ）
従来、SiCの成膜には、2000℃以上の高温を必要とする昇華法や自然発火性のSiH4(シラン)あるいは腐食性の高いSiH2Cl2(ジクロロシラン)等の原料を用いるCVD法が用いられてきた。それらの成膜手法はエネルギーコストや危険性が高いが故に、より簡便で安全な成膜方法が望まれている。
今回、腐食性、自然発火性のない原料を用いて、比較的低温でSi基板上にSiCの膜が形成できることを確認した。形成した膜の組成分析を二次イオン質量分析装置(SIMS)により実施した。

２．実験（Experimental）
【主な利用装置】二次イオン質量分析装置(SIMS)
【実験方法】
HF洗浄によって自然酸化膜を除去したSi(111)基板をサムコ製成膜装置に入れ、Arと共にSiC原料を供給して1100℃にて成膜を行った。成膜を行ったサンプルをSIMSにて組成分析した。

３．結果と考察（Results and Discussion）
Fig.1にSIMSの測定データを示す。下地であるSiの他にAl,Fe,Zn,Cが検出された。56Feや58NiはSi基板に到達した後の方が多く検出されていることからSiの二量体等の質量干渉を受けていると考えられる。
AlやFe,Zn等はSiC原料の生成時に混入する可能性のある元素のため、原料起因であると推測される。

Fig.1 SIMS profile of the SiC film.

４．その他・特記事項（Others）
今回の測定はNAISTの技術職員岡島氏にご担当いただきました。御礼申し上げます。
５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。
６．関連特許（Patent）
なし。