課題番号 ：S-17-JI-0030
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：深い電子親和力を持つ正孔注入層用無機材料開発
Program Title (English) ：Development of inorganic materials with large electron affinity for hole injection layers
利用者名（日本語） ：木本　賢治1)
Username (English) ：K. Kimoto1)
所属名（日本語） ：シャープ株式会社
Affiliation (English) ：Sharp Corporation

１．概要（Summary ）
正・逆光電子分光法による電子親和力、イオン化ポテンシャルの評価を行い、深い電子親和力/イオン化ポテンシャルを有する無機材料を開発する。
　今回は、深い電子親和力/イオン化ポテンシャルが期待されるWO3について評価を行った。

２．実験（Experimental）
【装置名】テックサイエンスPYS-200+IPES
【サンプル】ガラス基板上に、EB蒸着法にてAuを100nm堆積し、続いてスパッタ法にてWO3を50nm堆積した。
【実験方法】PYS測定実施後、IPES測定を実施した。

３．結果と考察（Results and Discussion）

図1. WO3のPYSおよびIPESの複合スペクトル

図１は、PYSとIPESの複合スペクトルである。IPES信号の立ち上がり位置より、電子親和力5.2eV、PYS信号の傾き変化位置よりイオン化ポテンシャル8eVが得られた。これは、別途実施した分光測定より見積もられたバンドギャップ3.2eVと一致する結果であり、今回の測定結果が妥当であることがわかる。
本実験で得られたWO3の電子親和力（5.2eV）は、透明導電膜として一般的なITOの電子親和力（4.5～5eV程度）よりやや大きい（深い）程度であり。今後更に材料探索が必要であることがわかった。

４．その他・特記事項（Others）
本研究における測定におきまして、ナノテクノロジーセンター　村上達也様に大変お世話になりました。心より感謝申し上げます。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし。

６．関連特許（Patent）
なし。