課題番号 ：S-18-MS-1096
利用形態 ：装置利用
利用課題名（日本語） ：深紫外発光デバイスの高効率化のためのa軸配向Fe添加AlN薄膜の単結晶化研究
Program Title (English) ：Single Crystallization of Fe doped AlN for highly-efficient DUV-LED
利用者名（日本語） ：今田早紀, 立溝信之
Username (English) ：S. Imada, N. Tatemizo
所属名（日本語） ：京都工芸繊維大学
Affiliation (English) ：Kyoto Institute of Technology

１．概要（Summary ）
a軸配向性ウルツ鉱型3d遷移金属添加AlN薄膜の単結晶化研究を行った。とくに広い濃度範囲でa軸配向となるFe添加AlN薄膜について、SEM/EDX分析により薄膜中のFe分布の詳細を調べた。

２．実験（Experimental）
　実験装置：低真空分析走査電子顕微鏡
　　　SEM部　日立ハイテクノロジーズ社製SU6600 EDX部　BrukerAXS社製　XFlash5060FQ及び　　
XFlash6|10
試料：スパッタ法によりSiO2ガラス基板上に形成したFe添加AlN薄膜。

３．結果と考察（Results and Discussion）
Fe添加AlN薄膜の表面および断面のSEMによる形状観察とEDXによるFeの膜中の分布解析を行った。とくに、成長条件依存性を詳細に調べた。
AlNにFe添加を行った際に現れる効果ついて、2019年4月に1件特許申請を行った。現在、さらにもう1件の特許を申請準備中で、2019年5月中に申請完了予定である。ここでは、図表の記載は控える。結果としては、表面が極めて平滑であること、Fe濃度が数％から30%程度の範囲で膜中に一様に分布していることなどがわかった。

４．その他・特記事項（Others）
なし

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
　なし

６．関連特許（Patent）
1件申請完了、1件申請準備中