利用報告書
課題番号 :S-18-MS-1096
利用形態 :装置利用
利用課題名(日本語) :深紫外発光デバイスの高効率化のためのa軸配向Fe添加AlN薄膜の単結晶化研究
Program Title (English) :Single Crystallization of Fe doped AlN for highly-efficient DUV-LED
利用者名(日本語) :今田早紀, 立溝信之
Username (English) :S. Imada, N. Tatemizo
所属名(日本語) :京都工芸繊維大学
Affiliation (English) :Kyoto Institute of Technology
1.概要(Summary )
a軸配向性ウルツ鉱型3d遷移金属添加AlN薄膜の単結晶化研究を行った。とくに広い濃度範囲でa軸配向となるFe添加AlN薄膜について、SEM/EDX分析により薄膜中のFe分布の詳細を調べた。
2.実験(Experimental)
実験装置:低真空分析走査電子顕微鏡
SEM部 日立ハイテクノロジーズ社製SU6600 EDX部 BrukerAXS社製 XFlash5060FQ及び
XFlash6|10
試料:スパッタ法によりSiO2ガラス基板上に形成したFe添加AlN薄膜。
3.結果と考察(Results and Discussion)
Fe添加AlN薄膜の表面および断面のSEMによる形状観察とEDXによるFeの膜中の分布解析を行った。とくに、成長条件依存性を詳細に調べた。
AlNにFe添加を行った際に現れる効果ついて、2019年4月に1件特許申請を行った。現在、さらにもう1件の特許を申請準備中で、2019年5月中に申請完了予定である。ここでは、図表の記載は控える。結果としては、表面が極めて平滑であること、Fe濃度が数%から30%程度の範囲で膜中に一様に分布していることなどがわかった。
4.その他・特記事項(Others)
なし
5.論文・学会発表(Publication/Presentation)
なし
6.関連特許(Patent)
1件申請完了、1件申請準備中