課題番号 ：S-20-OS-0047　
利用形態 ：技術代行
利用課題名（日本語） ：量子ビーム誘起反応に基づいた微細加工材料の創出
Program Title (English) ：Creation of Nanofabrication Material Based on Reaction Induced by Quantum Beam
利用者名（日本語） ：山本　洋揮
Username (English) ：H. Yamamoto
所属名（日本語） ：量子科学技術研究開発機構
Affiliation (English) ：National Institute for Quantum and Radiological Science and Technology

１．概要（Summary ）
極端紫外線(EUV, λ=13.5 nm)用レジストの高性能化を図るため、パターン形成を行うためのEUVリソグラフィ用マスクの作製は重要である。今回、SiN基板をTaNでスパッタコートすることを目指し、大阪大学ナノプラットフォーム施設の設備を利用し、EUVマスク作製のためのTaNスパッタを検証した。具体的には、RFスパッタ装置およびICP-RFスパッタ装置を使ってSiN基板にTaNのスパッタ蒸着を行った。

２．実験（Experimental）
【利用した主な装置】
S09　ICP-RFスパッタ装置
S10　RFスパッタ装置
S17　接触式膜厚測定器
【実験方法】
RFスパッタ装置を用いて、ターゲットにTaをRF：150Wで、Ar：2.4 sccm、N2：1.0 sccm、圧力：1.5 PaでSiN基板上に成膜時間4分20秒間成膜した。次に、ターゲットにSiO2を用いてRF：150Wで、Ar：2.7sccm, O2：2.0 sccmで圧力：0.6 Paで成膜時間10分30秒間成膜した。

３．結果と考察（Results and Discussion）
　図1はSiN基板上に70nmTaNを成膜した後にSiO2を50nm成膜した時の写真である。RFスパッタ装置を用いて上記の条件で成膜した時の結果から成膜レートを見積もると、TaN：14.0 nm/min、SiO2：4.8 nm/minであることが明らかになった。今後、引き続き、TaNターゲットから成膜することを試みるとともに様々な基板で成膜レートを求めてマスク作製を試みる。

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
1. H. Yamamoto et al. 「Lamellar orientation of a block copolymer via an electron-beam induced polarity switch in a nitrophenyl self-assembled monolayer」Quantum. Beam Sci. 4 (2020) 1-10.
2. 山本洋揮･古澤孝弘：「電子ビーム照射による有機・無機ハイブリッド微細パターンの直接形成」第69回高分子討論会（依頼講演）、2020年9月（オンライン開催）

６．関連特許（Patent）
なし