課題番号 ：S-20-NR-0034
利用形態 ：共同研究
利用課題名（日本語） ：銅バンプへALDによるルテニウム薄膜を堆積し、その表面分析の評価実験Program Title (English) ：Research on evaluation of electrical and physical properties on of thin
film Ru on Copper bump
利用者名（日本語） ：河合アラリック洋平1), 水野潤2)
Username (English) ：Kawai Alaric Yohei1), Jun Mizuno2)
所属名（日本語） ：1) 早稲田大学基幹理工学部電子物理システム学科, 2)早稲田大学ナノ・ライフ創
新研究機構
Affiliation (English) ：1)School of Fundamental Science and Engineering (Department of Electrical
and Physical Systems), Waseda University, 2)Research Organization for Nano
& Life Innovation, Waseda University

１．概要（Summary ）
原子層堆積装置（ALD）を用いて、ルテニウムを異なる金属表面に成膜し、堆積した金属表面の膜質、膜厚又は拡散メカニズムを評価する研究を行っている。

２．実験（Experimental）
原子層堆積装置を用いて、直径5 mm高さ2 mmと直径10 mm高さ5 mmの銅ペレットにルテニウムを10ナノと5ナノ成膜した。
さらに、銅バンプ付きポリイミド基板にもルテニウムを成膜し、
XPSでその銅ペレット、又は銅バンプ付きのポリイミド基板の表面評価を行った。

３．結果と考察（Results and Discussion）

Fig.1のXPS評価より、銅バンプ上には、ルテニウムのピークが検出されていないことが分かった。さらに、ポリイミド基板上の銅バンプ上にも評価の結果(Fig.2)、ルテニウムのピークは検出されていないことが分かった。
Fig 1:銅ペレットのXPS評価

Fig 2:銅バンプ付きのポリイミド基板のXPS評価

ALDによるルテニウムの堆積方法について、更なる成膜条件（温度、成膜時間等）を評価していく必要があることが分かった

４．その他・特記事項（Others）
2020年度試行的利用の採択を受け実施した。
装置を使用するにあたり、NAISTナノテクノロジープラットフォーム機構　技術専門職員の方々に多くのサポートを得ましたことに感謝致します。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし

６．関連特許（Patent）
なし