課題番号 ：S-20-OS-0003
利用形態 ：機器利用
利用課題名（日本語） ：銅薄膜におけるエレクトロマイグレーション挙動の研究
Program Title (English) ：Electromigration behavior of copper thin film
利用者名（日本語） ：金智1，2), 西川 宏2)
Username (English) ： Zhi Jin1,2), Hiroshi Nishikawa2)
所属名（日本語） ：1) 大阪大学大学院工学研究科, 2) 大阪大学接合科学研究所
Affiliation (English) ：1) Graduate School of Engineering, Osaka University
2) Joining and Welding Research Institute (JWRI), Osaka University

１．概要（Summary ）
In this study, the electromigration (EM) of a copper thin film deposited on a glass substrate was examined at a current density of 8.89×105 A/cm2 and room temperature of 15 °C. To prepare the sample, the RF sputtering was applied.

２．実験（Experimental）
利用した主な装置の名称:
S10 RF Sputtering system (Model: SVC-700LRF)
S17 Stylus profiler (Model: Dektak XT-A)
実験方法:
By using the RF sputtering system, we designed a copper thin film with the thickness of 300 nm on a glass substrate. The RF power was 50W and the sputtering time was for 60 min.

３．結果と考察（Results and Discussion）
We have checked the thickness of copper thin film with the stylus profiler. Currently, we just used this machine but did not start any further analysis on it.

４．その他・特記事項（Others）
なし

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし

６．関連特許（Patent）
なし