課題番号（Application Number）：S-16-NR-0039
利用形態（Type of Service）：技術代行
利用課題名（日本語） ：Si基板上AINﾊﾞｯﾌｧｰ層形成時における自然形成ﾋﾞｱﾎｰﾙ形成過程の研究
Program Title (English) ：Research of Formation process of AlN with conductive spontaneous via holes
利用者名（日本語） ：青柳　克信、黒瀬　範子
Username (English) ：Yoshinobu Aoyagi, Noriko Kurose
所属名（日本語） ：立命館大学　総合科学技術研究機構
Affiliation (English) ： Ritsumeikan University, The Research Organization of Science and Technology

１．概要（Summary ）
我々が新たに開発した導電性を持ったAlN層（v-AlN：AlN with conductive spontaneous via holes）をEDX,TEM等を用いその組成、形状、電流経路を測定し、自然形成ビアホールの形成過程を明らかにし、それを通してv-AlNの制御の可能性を探索することを目的とする。

２．実験（Experimental）
①自然形成ビアホールをSEM、EDXで観察。
②試料の形成過程を確認するためにTEMでの観察を検討。

走査電子顕微鏡（SEM）ＳＵ9000

３．結果と考察（Results and Discussion）
①自然形成ビアホールの大きさが100nm程度の大きさであるため、下図に示すようにSEM、EDX共に微小領域では鮮明な画像を得る事ができなかった。

②そこでTEMでの観察を試みたが、奈良先端科学技術大学院大学ではFIBによる断面試料作製ができず、他でFIBによる断面の作製を試みたが、ビアホール自体が壊れやすく観察するための試料作製ができなかったため、観察に至らなかった。

４．その他・特記事項（Others）
共同研究者
・ 連携マネージャー　戸所　義博
奈良先端科学技術大学院大学　ナノテクノロジープラットフォーム事務局
・ 技術専門職員　宮家 和宏
奈良先端科学技術大学院大学
研究・国際部 研究協力課 物質創成科学技術区

５．論文・学会発表（Publication/Presentation）
なし

６．関連特許（Patent）
なし