課題番号 ：S-16-JI-0049
利用形態 ：技術代行
利用課題名（日本語） ：SiC(0001)基板上に成長させたグラフェン膜の構造評価
Program Title (English) ：
利用者名（日本語） ：柳生数馬
Username (English) ：Kazuma Yagyu
所属名（日本語） ：福岡大学工学部電子情報工学科
Affiliation (English) ：Department of Electronics Engineering and Computer Science, Fukuoka University

１．概要（Summary ）
以前に行った測定(利用課題番号S-15-JI-0038)の結果をゼロ層グラフェンとゼロ層グラフェンの上にもう1層のグラフェンが成長した試料(1層グラフェン)の結果と比較する必要が生じたため，本測定ではゼロ層グラフェンと1層グラフェンの断面観察を行った．福岡大学で作製した試料を当該機関に送り，FIB加工によって切り出した断面を高分解能TEM（日本電子社製　JEM-ARM200F）で観察した．

２．実験（Experimental）
試料の加工：集束イオンビーム加工装置･FIB
(SIIナノテク社製 SKI3050)
観察：原子分解能走査透過型電子顕微鏡･STEM
（日本電子社製　JEM-ARM200F）

３．結果と考察（Results and Discussion）
図(a)にゼロ層グラフェンの断面で取得したHAADF像を示す．図の上半分に規則正しく配列している輝点はSiC基板中のシリコン原子である．画像の中央部のSiC基板表面にあたる部分に白い線が確認できる．ゼロ層グラフェンは基板上にグラフェンが1枚載った構造をしているが，この白い線が1枚のグラフェンに対応すると考えられる．
1層グラフェンの結果は図(b)に示している．1層グラフェンはゼロ層グラフェンの上にもう1枚のグラフェンが載っている構造をしている．図(b)では基板上に2本の白い線が確認できることから，1層グラフェンを構成する2枚のグラフェンが観察できたと考えられる．

４．その他・特記事項（Others）
なし。

５．論文・学会発表
2017年3月,日本物理学会　第72回年次大会(2017年)，柳生数馬他，「グラフェンとSiC基板間にインターカレートした金属層の厚さ評価」

６．関連特許（Patent）
なし。