課題番号 ：S-18-NR-0001・S-19-NR-0014
利用形態 ：共同研究
利用課題名（日本語） ：電子デバイスにおける薄膜層のモルホロジーとデバイス特性の相関に関する研究/開発Program Title (English) ： Research / development of correlation between thin film layer morphology
and device characteristics in electronic devices
利用者名（日本語） ：田中壮太郎 1), 新納厚志 1) Username (English) ：S. Tanaka1), A. Niinoh1) 所属名（日本語） ：1)シャープ株式会社Affiliation (English) ：1)Sharp, Co., Ltd.

１．概要（Summary ）
他社製ディスプレイデバイスの半導体層の結晶性 や組成を調査し、性能向上に繋がる有益な情報を得た。

２．実験（Experimental）
当社のFIB 装置にて薄片加工した断面試料を貴学のJEM3100FEF（300kV-TEM-NBD）、および HD-2700（200kV-
STEM-EDX）にて分析した。

３．結果と考察（Results and Discussion）
酸化物半導体層の 300kV-TEM-NBD 分析の結果、結晶性が判明した（図 1）。また酸化物半導体層の 200kV-
STEM-EDX 分析の結果、組成情報が判明した（図 2）。
これらの有益なデータはデバイス特性の向上、異常
品の不良原因の特定に大きく寄与するものである。

４．その他・特記事項（Others）
NAIST 技術職員の藤原正裕氏、大野智子氏、宮家和宏氏に測定ご協力いただき、ここに感謝の意を表します。

５．論文・学会発表（Publication/Presentation） なし。

６．関連特許（Patent） なし。

図 1 酸化物半導体層の TEM 像、NBD 像

図 2 酸化物半導体層の STEM 像、および EDX スペクトル