Osaka University

2013年度 成果事例

位置制御型単一量子ドット作製に関する研究
a阿南工業高等専門学校, b大阪大学産業科学研究所
塚本史郎a,b,長谷川繁彦b,東條孝志a,川端明洋a,立石学a,遠野竜翁a,松下樹里a,高岸時夫a,大道正明a,吉田岳人a

【研究目的】 化合物半導体GaAs内に埋め込まれたInAs単一量子ドットは単一光子を利用した量子暗号通信の光源として注目されている。しかし一般的な作製法が自己組織化を利用したものであり、ナノレベルでの位置制御が困難である。本研究では特定位置に1つだけ高品位量子ドットを配置する技術の確立を目指す。

 

【成   果】 分子・物質合成プラットフォームの機器を使用して、分子線エピタキシィ(MBE)成長に耐えうるマスク材料と形状の検討、そしてマスク作製段階におけるGaAs(001)基板表面へのダメージを極力低減したプロセス方法の確立を行った。

H25_OS_09_fig1

--

©2024 Molecule and Material Synthesis Platform All rights reserved.