【研究目的】 化合物半導体GaAs内に埋め込まれたInAs単一量子ドットは単一光子を利用した量子暗号通信の光源として注目されている。しかし一般的な作製法が自己組織化を利用したものであり、ナノレベルでの位置制御が困難である。本研究では特定位置に１つだけ高品位量子ドットを配置する技術の確立を目指す。

【成　　　果】 分子・物質合成プラットフォームの機器を使用して、分子線エピタキシィ（MBE）成長に耐えうるマスク材料と形状の検討、そしてマスク作製段階におけるGaAs(001)基板表面へのダメージを極力低減したプロセス方法の確立を行った。