表面分析
走査型電子顕微鏡(SEM)/EDX/EPMA
| 電界放出形走査電子顕微鏡 日本電子株式会社製 JSM-7800F | 加速電圧：0.01-30 kV 倍率： 25-1,000,000倍 装備オプション：EDS, STEM, BED, USD, 低真空システム |
千歳大 |
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| 走査型電子顕微鏡(SEM)/EDX 日立社製 S-3500N | 加速電圧：0.5-30 kV 倍率： 15-200,000倍 EDX：堀場製作所社製 EMAX7000 測定対象：B(ホウ素)～U(ウラン) 分解能：144eV |
千歳大 |
| 走査電子顕微鏡 キーエンス社製 VE-8800 | ナビゲーション機能 計測機能 ３D計測機能 | 千歳大 |
| 卓上電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ製：Miniscope TM3000 | 倍率：15倍～30,000倍 | NIMS |
| 高分解能走査型電子顕微鏡･SEM 日立ハイテクノロジーズ社製 S-5200 | 最高分解能 0.5nm EDSによる組成分析機能付 | 北陸先端大 |
| 電子プローブマイクロアナライザー･EPMA 日本電子社製 JXA-8900L | 分析元素範囲B-U Ｘ線分光範囲0.087-9.3nm | 北陸先端大 |
| 電界放出型走査電子顕微鏡（FE-SEM） 日立製SU8000 | 加速電圧：0.5 ～ 30 kV 倍率：低倍率モード20 ～ 2,000倍 高倍率モード100 ～ 800,000倍 分析機能：EDX | 信州大 |
| 走査型電子顕微鏡(SEM) JEOL, JSM-7500F | オプション：RBEI、EDS | 名大 |
| 特型走査電子顕微鏡装置 JEOL-JSM5600＋特型試料ステージ | ピエゾ駆動探針装備、電気・機械特性測定、その場抵抗加熱 | 名工大 |
| 電界放射走査型電子顕微鏡(SEM) 日本電子社製JSM-6700F | 試料4インチまで、EDS付 | 分子研 |
| 低真空分析走査電子顕微鏡 日立ハイテクノロジー社製 SU6600 | ショットキー型電子銃 空間分解能1.2nm(30kV)、3.0nm(1kV) 低真空機能 EDS(BrukerAXS社製FQ5060/XFlash6) |
分子研 |
| ナノ薄膜構造解析装置 走査型電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ社製 SU9000 | 加速電圧：1～30kV 二次電子像分解能：0.5nm(加速電圧30kV） STEM分解能：0.34nm(加速電圧30kV） | 大阪大 |
| 超高分解能走査電子顕微鏡 日立ハイテクノロジーズ社製 SU9000 | ・SEM(空間分解能0.4nm)とSTEM(空間分解能0.34nm)の高分解能同視野観察 ・30kV以下の低加速観察 ・コールドFE電子銃 ・EDSによる高解像度元素マッピング ・含水サンプルの凍結観察個体表面における原子の分布を高分解能マッッピング、 | 九州大 |
| 3次元SEM画像測定解析システム KEYENCE VE-9800 | 加速電圧0.5-20kV | 九州大 |
| 走査型電子顕微鏡(SEM) 日立社製 S-5000 | 倍率：20～1,000,000 倍 | 九州大 |
電子分光(XPS/UPS/AES)
| 表面分析装置 理研計器社製 AC-1 | エネルギー走査範囲： 3.40～6.20eV | 千歳大 |
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| 大気中光電子分光測定装置 理研計器社製 AC-3 | エネルギー走査範囲4.0～7.0eV スポットサイズ 2×4mm角 |
東北大 |
| X線光電子分光装置･XPS 島津クレートス社製 AXIS-ULTRA DLD | 北陸先端大 | |
| X線光電子分光装置･XPS ファイソンズインスツルメンツ社製 S-probeTM2803型 | 最小プローブ 100μm 測定可能元素 Li-U | 北陸先端大 |
| 光電子分光装置･UPS 理研計器製 AC-2 | 大気中試料のイオン化エネルギー測定可 | 北陸先端大 |
| 正・逆光電子分光装置 テックサイエンス PYS-200+IPES | 北陸先端大 | |
| 光電子分光装置(ESCA) ㈱島津製作所・AXIS-ULTRA SPC形 | 分析元素：Li～U 分析面積：1.5μφ～ イメージング分解能：3μm |
信州大 |
| 機能性材料バンド構造顕微分析システム 光電子分光装置 | 光電子分光装置（光電子分析器、真空紫外光源、試料冷却機構、真空チェンバー） 光電子分析器 エネルギー分解能1meV以下、 角度精度 0.1度以下、空間分解能 10ミクロン以下 真空紫外光源 希ガス共鳴線（主として、21.218 eV, 40.814 eV) 試料冷却機能 温度範囲 8-300K 真空チェンバー 測定槽真空度 7×10-9Pa以下 |
分子研 |
| X線光電子分光分析装置(XPS) 電子分光器 Omicron社製EA-125 | ツインアノードX線源 | 分子研 |
| イオン化ポテンシャル測定装置群 分光計器株式会社 | ・イオン化エネルギー測定部 BIP-KV202GD エネルギー走査範囲：3.1 ～9.0 eV 真空度：1E-2 Pa(ガス置換可能) D2ランプ/Xeランプ手動切り替え機構 ・電流密度分布評価測定部 BIP-KV302K レーザー光源：532nm(10mW) |
大阪大 |
| 光電変換分子材料評価装置 大気中光電子分光 理研計器社製 AC-3 | エネルギー操作範囲：4.00-7.00 eV 大気中計測 |
奈良先端大 |
| 2次元光電分光装置 光電子分光装置 | 最高エネルギー分解能：0.5eV、 帯電中和機構、Arガスクラスターイオン銃 |
奈良先端大 |
| X線光電子分光分析装置(XPS) アルバック・ファイ社製 ESCA 5800 | 最小分析領域： φ75µm 分解能：0.48 eV 特殊帯電中和機能付 | 九州大 |
| 走査型オージェ電子分光顕微鏡 アルバックファイ社製 SAM670Xi | 元素分析：原子番号3以上 走査電子ビーム径：15nm以下(加速電圧20kV、電流１nA) エネルギー分析：0－3200 eV | 北陸先端大 |
その他の表面分析
| 接触角計 協和界面科学社製 DM-501 | 液滴自動認識 | 千歳大 |
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| 接触角測定装置 AST products製：接触角測定装置 VCA optima XE | NIMS | |
| 接触角計 協和界面科学製 DM-501 | 自動解析機能、オートディスペンサ搭載、経時変化測定可能 | 名大 |
| 低速イオン散乱分光材料表面解析装置 島津社製 | 基板直径２インチ以下。元素質量はC以上計測可能。解析深さは再表面から10nm。加工基板表層解析（歪層解析が可能） | 名工大 |
表面分析関連装置
| DCコーター サンユー電子株式会社 SC-701HMC | 大阪大 |
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